SK Hynix ha completato con successo i test di compatibilità dei suoi chip LPDDR5T DRAM con l’ultimo chipset di punta di Qualcomm, lo Snapdragon 8 Gen 3. Questi moduli, annunciati per la prima volta nel gennaio 2023, sono ora pronti per essere utilizzati negli smartphone di fascia alta.
Con una velocità massima di trasmissione dati di 9,6 Gbps, il pacchetto da 16 GB offre una velocità che è circa il 12,5% maggiore rispetto alle LPDDR5X DRAM di Samsung. I chip LPDDR5T RAM di SK Hynix sono noti per la loro eccezionale efficienza energetica, funzionando ad una bassa tensione compresa tra 1,01 e 1,12 V, come specificato dal JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council).
Per raggiungere questo livello di prestazioni ed efficienza, SK Hynix ha impiegato il processo HKMG (High K Metal Gate), consentendo ai chip LPDDR5T RAM di operare ad una tensione del 10% inferiore rispetto alla LPDDR5X. L’azienda prevede che queste innovative memorie acquisiranno una significativa quota di mercato prima del debutto dello standard LPDDR6 DRAM.
Ziad Asghar, Senior Vice President of Product Management di Qualcomm, ha espresso entusiasmo per la partnership, sottolineando il potenziale delle applicazioni AI trasformative con latenza minima ed un consumo energetico ridotto su dispositivi alimentati dal chipset Snapdragon 8 Gen 3 abbinato alla RAM LPDDR5T di SK Hynix.
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